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 晶體三*管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀




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      資訊動態

      晶體三*管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀
      晶體三*管正偏二次擊穿、熱阻抗測試係統可測試**型號中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數。係統軟件基於微軟視窗係統的操作環境，使您輕鬆掌握測試。
      本係統采用計算機自動控製，為用戶提供友好直觀的操作界麵，測試數據處理方便，自動繪製PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，並求兩曲線的交點，在該交點及其附近靠內一點測試器件的熱阻值。
      主要特點
      正偏二次擊穿電壓測試可測試NPN型晶體三，管，熱阻抗測試可測試**型號中、大功率晶體管
      測試方法靈活、開放：
      靈活的M值測試，可控製測試過程中不測試M值而自行輸入M值
      可定時測試，穩態熱阻測試也可定特定時間內，溫差測試
      加熱電源可遙控也可手動
      采用**微機控製，基於Windows係統的控製軟件，具有友好的人機交互界麵，窗口填表式編程，測試結果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕鬆掌握測試。
      ，指標
      加熱電壓源：0-300V 負載能力：3.5A，可根據用戶需要進行功率擴展，，到10A
      加熱電流源IH：
      電流量程       分辨力     精度
      -250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set)
      ±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set)
      ±(2.5A~3.5)A  12.2mA    ±(61mA+2%set)
      測量電流源IM
      電流量程：-250mA~250mA
      分 辨 力：122uA
      精    度：±(244uA+0.5%set)
      VBE電壓表：
      電壓量程        分辨力    精度
      -312.5~312.5mV  152.5uV  ±(1.22mV+1%Rdg)
      ±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg)
      ±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg)
      ±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg)
      VCE電壓表
      電壓量程          分辨力     精度
      -8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg)
      ±(8.125~16.25)V  7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg)
      ±(16.25~32.5) V  15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg)
      ±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg)
      ±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg)
      ±(260~300) V     127.04mV  ±(254.08mV+0.25%Rdg)
      加熱脈衝寬度
      脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
            1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
      （1s以上的測試需要，測試盒使用**散熱器）
      參考點溫度測量
      測量範圍：10℃~125℃
      精    度：±0.5℃
      網站地圖