太陽能 矽片壽命 配已知壽命樣片、配數字示波器、噴墨打印機

產品簡介 
   我公司為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研製出了數字式少子壽命測試儀。                                                       
   該設備是按照標準GB/T1553“矽單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計製造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業已運用了三十多年，積累了豐富的使用經驗，經過數次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟的測試方法，**適合於矽塊、矽棒研磨麵的少子體壽命測量；也可對矽片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表麵的要求為研磨麵，製樣簡便。
 
LT-100C數字式矽晶體少子壽命測試儀有以下特點：
1、可測量太陽能多晶矽塊、單晶矽棒少數載流子體壽命。表麵*需拋光，直接對切割麵或研磨麵進行測量。同時可測量多晶矽檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管矽單晶的少子壽命。
2、可測量太陽能單晶及多晶矽片少數載流子的相對壽命，表麵*需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態光電導衰退波形，並可聯用打印機及計算機。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透矽晶體深度較深≥500μm，有利於準確測量晶體少數載流子體壽命。
b、短波長紅外脈衝激光器，光穿透矽晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利於測量低阻太陽能矽晶體。
5、測量範圍寬廣
    測試儀可直接測量：
a、研磨或切割麵：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶矽棒、定向結晶多晶矽塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光麵：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝範圍內的矽單晶、鍺單晶拋光片。
   壽命可測範圍      0.25μS—10ms